В Китае ответили на санкции США созданием самого современного литографа по выпуску собственных чипов. Об этом пишет ИА «South China Morning Post».
Сообщается, что передовое устройство будет работать на ускорителе частиц.
Группа исследователей из университета Цинхуа активно ведёт переговоры с администрацией нового района Сюнган в провинции Хэбэй, расположенной на севере Китая для выбора подходящей строительной площадки для своего смелого проекта.
Их планом является создание ускорителя частиц с контуром длиной от 100 до 150 метров, который превратит луч ускорителя в высококачественный источник света, предназначенный для производства чрезвычайно тонких микросхем.
В отличие от нидерландской компании Advanced Semiconductor Materials Lithography (ASML), мирового лидера в производстве литографических устройств для изготовления микросхем, китайский проект предполагает создание огромного производственного комплекса, внутри которого будет установлено несколько литографических машин вокруг одного ускорителя.
Такой подход позволит достичь массовости и снизить стоимость производства монокристаллических интегральных схем.
Cтоит отметить, что китайские производители мобильной и компьютерной техники могут импортировать критически важные инструменты ASML до 2024 года, поскольку новые правила Нидерландов ограничивают доступ Китайской Народной Республики к новейшим технологиям производства чипов.
На данный момент, 7-нанометровые микросхемы производятся с использованием EUV-литографии. Сейчас компания ASML доминирует на этом рынке (в прошлом году они поставили 180 EUV-литографов, а в текущем году планируют ещё 60).
Несмотря на то что эта технология является наиболее распространённой и надёжной, китайские исследователи решили идти по другому пути.
Проект, над которым работает команда из Университета Цинхуа под руководством профессора Тана Чуаньсяня с 2017 года, также получил поддержку «Huawei».
Он предусматривает использование энергии заряженных частиц в качестве источника излучения с узким спектром. Профессор Чжао пояснил, что «устройство способно генерировать высококачественное излучение в диапазоне от терагерцовых волн с длиной волны 0,3 мм до волн EUV с длиной волны 13,5 нм».
Иными словами, SSMB предоставляет практически идеальный источник света с более высокой средней мощностью по сравнению с EUV-литографией.
Несмотря на понимание значимости этой разработки для Поднебесным, создание работоспособного уникального литографа будет весьма затратным процессом и может быть реализовано только в отдалённом будущем.
